來自路明科技、凹凸科技、國星光電、雷曼光電、英飛特電子等LED相關(guān)制造商，以及工信部、行業(yè)協(xié)會(huì)、研究機(jī)構(gòu)的領(lǐng)導(dǎo)與專家和現(xiàn)場聽眾分享了2011年最新的LED市場趨勢(shì)與商機(jī)，以及技術(shù)、策略，整個(gè)論壇分享和互動(dòng)氣氛熱烈，專家與聽眾深入溝通交流。

      我國LED重大裝備、襯底和外延材料、芯片制造、器件封裝以及應(yīng)用等方面均已顯現(xiàn)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的單元技術(shù)，部分核心技術(shù)具有原創(chuàng)性，初步形成了從上游 材料、中游芯片制備、下游器件封裝及集成應(yīng)用的比較完整的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)體系，為我國LED產(chǎn)業(yè)做大做強(qiáng)在一定程度上奠定了基礎(chǔ)。
      國內(nèi)唯一首次利用自主研發(fā)的MOCVD工程化樣機(jī)（7×2’’）生長LED達(dá)到8mW；國內(nèi)首臺(tái)MOCVD設(shè)備制造的藍(lán)光小芯片LED在20mA下發(fā)光功率達(dá)到8.3mW，發(fā)光波長460nm。
     HVPE設(shè)備可能成為未來半導(dǎo)體照明的核心基礎(chǔ)設(shè)備，目前上還尚無成熟的商業(yè)化國際設(shè)備，國內(nèi)自主研制的HVPE設(shè)備生長的材料性能：HVPE GaN外延片XRD衍射半峰寬141弧秒，為當(dāng)時(shí)國內(nèi)報(bào)道的最好水平；C面GaN厚膜生長速度超過100微米/h，表面粗糙度5-6nm，雙晶結(jié)果 (002)約105arcsec，(102)為140arcsec，顯示了高晶體質(zhì)量；半極性GaN厚膜表面粗糙度6 nm左右，表面層錯(cuò)大幅度降低，雙晶最好結(jié)果約低于300 arcsec，是目前報(bào)道的最好結(jié)果之一。
      半導(dǎo)體照明“十二五”重大項(xiàng)目的各項(xiàng)任務(wù)，其最終目標(biāo)都是圍繞面向200lm/W的半導(dǎo)體通用照明目標(biāo)而努力。未來十年GaN襯底是實(shí)現(xiàn)200lm/W半導(dǎo)體照明技術(shù)最有潛力的技術(shù)，將推動(dòng)半導(dǎo)體照明進(jìn)入通用照明市場。

     在此基礎(chǔ)上，2012中國LED產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展高峰論壇相信會(huì)更加精彩！